STS1DNC45 |
RFQ for STS1DNC45 Required Field |
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| Technical/Catalog Information | STS1DNC45 |
| Vendor | STMicroelectronics |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Power - Max | 1.6W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Package / Case | 8-SOIC (3.9mm Width) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | STS1DNC45 STS1DNC45 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| STS1DNC45 | - | SO-8 | - |
The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST's well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
Typical Application |
| SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES (SMPS)DC-DC CONVERTERS LOW POWER, LOW COST CFL (COMPACT FLUORESCENT LAMPS)LOW POWER BATTERY CHARGERS |
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Symbol |
Parameter |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDS |
Drain-source Voltage (VGS = 0) |
30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDGR |
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k) |
30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGS |
Gate-Source Voltage |
± 20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Drain Current (continuous) at TC = 25°C Drain Current (continuous) at TC = 100°C |
0.40 0.25 |
A A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM(`) |
Drain Current (pulsed) |
48 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTOT |
Total Dissipation at TC = 25°C Dual Operation
Total Dissipation at T SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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